背照式CCD光譜儀提供穩定、快速、分析解決方案

　　

　　背照式CCD光譜儀技術,廣泛應用于冶金、鑄造、機械、汽車(chē)制(zhì)造、航空(kōng)航天、兵器(qì)、金屬加工等領域的生(shēng)産工藝控制(zhì)，爐前化驗，中心實驗室成品檢驗。

　　

　　CCD，是英文ChargeCoupledDevice即電(diàn)荷耦合器(qì)件的縮寫，背照式CCD光譜儀是在MOS晶體(tǐ)管電(diàn)荷存儲器(qì)的基礎上(shàng)發展起來(lái)的，突出的特點是以電(diàn)荷作(zuò)為(wèi)信号，而不是以電(diàn)流或電(diàn)壓作(zuò)為(wèi)信号的。在P型或N型矽單晶的襯底上(shàng)生(shēng)長一層厚度約為(wèi)120~150nm的SiO2層，然後按一定次序沉積m行(xíng)n列個(gè)金屬電(diàn)極或多(duō)晶矽電(diàn)極作(zuò)為(wèi)栅極，栅極間(jiān)隙約2.5μm，于是每個(gè)電(diàn)極與其下方的SiO2和(hé)半導體(tǐ)間(jiān)構成了一個(gè)MOS結構，這種結構再加上(shàng)輸入、輸出結構就構成了m×n位CCD（m＞1，n≥1）；當n=1時(shí)，CCD器(qì)件被稱為(wèi)線陣CCD；當n＞1時(shí),則為(wèi)面陣CCD。CCD按受光方式分為(wèi)前感光和(hé)背感光兩種。前感光CCD由于正面布置着很(hěn)多(duō)電(diàn)極，光經電(diàn)極反射和(hé)散射，不僅使得(de)響應度大(dà)大(dà)減低(dī)（量子效率通(tōng)常低(dī)于50%），也因為(wèi)多(duō)次反射産品的幹涉效應使光譜響應曲線出現馬鞍形的起伏；背感光CCD由于避免了上(shàng)述問題，因而響應度大(dà)大(dà)提高(gāo)，量子效率可(kě)達到80%以上(shàng)。